S5 Corporate Response - шаблон joomla Книги
Радиационно-легированный кремний

Вторым высокотехнологичным направлением работ с использованием исследовательского ядерного реактора ВВР-ц является ядерное (нейтронно-трансмутационное) легирование и радиационное модифицирование полупроводниковых материалов.

Общеизвестно, что для придания полупроводниковому кремнию нужных электрических свойств необходимо введение в кристалл примесных атомов. Необходимым условием при этом является однородность распределения примесных атомов по объему кристалла, что, в свою очередь, обеспечивает однородность распределения удельного электрического сопротивления. Обычные методы легирования не могут обеспечить требуемого уровня однородности распределения легирующей примеси в объеме монокристалла, особенно при выращивании монокристаллов больших размеров. Только метод ядерного (нейтронно-трансмутационного) легирования позволяет получать высококачественный монокристаллический кремний, отвечающий современным требованиям силовой электроники и электроэнергетики по однородности, стабильности и воспроизводимости свойств.

Метод основан на ядерных преврящениях, протекающих при захвате тепловых нейтронов ядрами изотопа кремний-30 с последующим образованием в монокристалле кремния изотропно распределенной легирующей примеси фосфор-31.

Отечественная технология ядерного (нейтронно-трансмутационного) легирования была разработана на базе исследовательского реактора ВВР-ц.

Были разработаны основные способы облучения длинномерных монокристаллических заготовок кремния, обеспецивающие равномерное и прецизионное "введение" легирующей примеси в зависимости от
параметров зоны облучения и конструкционных особенностей используемого типа ядерного реактора: статический режим, возвратно-поступательное перемещение контейнера с одновременным вращением, непрерывное прохождение столба контейнеров вдоль активной зоны с одновременным вращением, методы постобработки и режимы отжига облученных кристаллов. В настоящее время функционирует линия облучения слитков кремния диаметром до 85 мм с полным циклом технологических операций постобработки. Отклонение от равномерности распределения атомов примеси по диаметру слитка при этом не превышает 3-5%. Удельное электрическое сопротивление в зависимости от степени легирования, которое определяется флюенсом нейтронов, составляет от 15 до 600 Ом*см. Время жизни неосновных носителей заряда при этом превышает 100 мкс.

Ядерно-легированный кремний (ЯЛК) филиала НИФХИ аттестован рядом зарубежных фирм: Wacker , Freiberger (Германия), Topsil (Дания), СКД (Чехия). Для некоторых из них нами производятся постоянные поставки на контрактной основе.

Одновременно на базе реактора ВВР-ц создаются две новые технологические линии производства ЯЛК: линия легирования особо чистого монокристаллического кремния диаметром до 105 мм для фотоприемников и детекторов ядерного и космического излучения и линия для получения ЯЛК диаметром до 156 мм.

Вторым полупроводниковым материалом, для которого разработана технология легирования и модифицирования, является арсенид галлия. В основе метода легирования лежат ядерные реакции:

Ядерно-легированный арсенид галлия находит применение в солнечной энергетике и микроэлектронике, а также используется для изготовления детекторов излучения.

Радиационное модифицирование полуизолирующего арсенида галлия основано на оптимальном сочетании условий облучения и последующей термообработки. При этом неоднородность электрофизических и оптических свойств по объему кристалла уменьшается в несколько раз и не превышает 5%, повышается термостабильность и радиационная стабильность материала. Этим же способом возможно получение арсенида галлия с коэффициентом оптического поглощения менее 60 [1/(с*см3)] при длине волны 10,6 мкм, что в два раза меньше, чем у исходного. Такой материал используется для оптических систем лазеров. Образцы этого материала прошли аттестацию ряда фирм США, с которыми заключен контракт на создание технологии производства с последующими поставками продукции.

Технические характеристики ЯЛК, выпускаемого по технологии, разработанной в филиале НИФХИ им. Л.Я. Карпова:

диаметр, мм
28-85, 105, 127, 156
длина, мм
500, 350
легирующая примесь
фосфор
тип проводимости
электронный
диапазон номиналов легирования у.э.с., Ом*см
15 – 600
радиальная неоднородность у.э.с., %
3-5
отклонение от заданного номинала легирования у.э.с., %
7-10
время жизни неосновных носителей заряда, мкс
≥100