ПРОИЗВОДСТВО ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ (ЯЛК)
МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ:
Легирование – процесс введения добавок в полупроводник с целью получения определенных электрофизических свойств.
Целью легирования является получение вещества с требуемыми электрофизическими характеристиками, такими как электрическая проводимость, характером p- и n- перехода и т.д.
Лидирующее место по использованию полупроводниковых материалов занимает кремний.
Наиболее распространенные легирующие добавки в кремнии – фосфор, мышьяк (проводимость n-типа) и бор (р-типа).
В настоящее время внедрение добавок производится тремя способами:
- ионной имплантацией;
- нейтронно-трансмутационным легированием (НТЛ) или ядерное легирование (ЯЛ);
- термодиффузией.
При нейтронно-трансмутационном легировании (НТЛ) легирующие примеси не вводятся в полупроводник, а образуются («трансмутируют») из атома исходного вещества (кремния) в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества тепловыми нейтронами. НТЛ позволяет получать монокристаллический кремний с особо однородным распределением атомов примеси.
Когда облучаемым веществом является кремний, под воздействием потока нейтронов из изотопа кремния 30Si образуется радиоактивный изотоп 31Si, который затем распадается с образованием стабильного изотопа 31Р. Образующийся 31Р создает проводимость n-типа.
Технология НТЛ отличается от металлургической или химической тем, что легирующую добавку вводят не извне, а получают из самого облучаемого материала.
Ядерно-легированный кремний (Neutron transmutation doped silicon) представляет собой ультрачистый кремний, в котором нейтронным излучением реактора часть атомов изотопа 30Si трансмутировалась в атомы фосфора 31P, создав примесную проводимость n-типа. Традиционно такое легирование создается путем подмешивания очень небольшого количества фосфора в расплав кремния.
Преимущества ЯЛК перед металлургическим:
При металлургическом способе достичь высокой однородности распределения вводимой примеси очень сложно.
Только метод ЯЛК позволяет получать высококачественный монокристаллический кремний, отвечающий современным требованиям силовой электроники и электроэнергетики по точности и однородности «введения» легирующих примесей, воспроизводимости и стабильности свойств.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
Наименование показателя | Норма |
Легирующая примесь | фосфор |
Тип проводимости | электронный |
Диапазон номиналов легирования у.э.с. | 15 - 500 Ом*см |
Радиальная неоднородность у.э.с. | 3,5 - 5 % |
Отклонение от заданного номинала легирования у.э.с. | 6,5 - 10 % |
Время жизни неосновных носителей заряда: - для у.э.с. 15-100 Ом*см - для у.э.с. 110-200 Ом*см - для у.э.с. 210-500 Ом*см |
>100 мкс >200 мкс >300 мкс |
ФОРМА ВЫПУСКА:
Исходным материалом для легирования являются слитки монокристаллического кремния в форме цилиндров различного диаметра и разной длины.
Наименование показателя | Размер |
Диаметр монокристалла | 28-85 мм |
Длина монокристалла | 500 мм |
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ:
- в силовой электронике и электротехнике для производства мощных высоковольтных силовых полупроводниковых приборов: высоковольтные выпрямители, сверхмощные запирающие тиристоры и транзисторы средней мощности, большие и сверхбольшие интегральные схемы, силовые вентиля, прецизионные стабилитроны и др.
- вкачестве эталонов для калибровки зондовых и бесконтактных методов измерений в метрологии.
- электромобили.
- детекторы и фотоприемники.